第171章 都搞定了（第2页）

看到陈阳分发过来的部分方案，张振兴忍不住走了上来，说出了自己的疑惑。

“陈教授，咱们现在造1纳米芯片，是不是有些激进了？按照当前的理论，硅芯片若是做到2纳米以下，就会直接“漏电”

电子将会直接穿过栅极，无法再实现“开关”

的功能，失去了二极管的特性，理论上无法做成。”

张振兴对着陈阳说道。

“这确实是一个技术难题，不过，并不会成为硅基芯片的极限。

1o年前，说硅基芯片的极限是68纳米，5年前说硅基芯片的极限是22纳米，3年前说硅基芯片的极限在1o纳米，之前又说是7纳米，5纳米，现在又说是2纳米。

这些都不过是猜测而已！

关于1纳米面临的栅极击穿问题，咱们可以改变栅极结构，由原来的立体或者鱼鳍形结构，变成球体！

或者半球体！

而在球体或者半球体结构上，采用不同的物质，看似是两条通道，实际是四条通道，这样可以有效阻挡电子的通过，但是，这些增加的通道，又并未大幅增加电子的传输距离！”

“这样的话，岂不是会增大很多的能耗？”

张振兴对着陈阳再次问道。

仅仅是三位立体的栅极，也已经增大了很多的能耗，这一点在手机上有很大的体现！

前不久最新设计的5纳米芯片，虽然号称是5纳米，但是，实际计算性能并未提升太多，而功耗却是原来的几倍！

最直观的体验，就是手机在使用的时候，极其因为功耗过大而急速发热，甚至都能当暖手宝了！”

“这个问题提在了点上，不过，我们已经把这个问题给解决了。”

随后把一个试验报告递了过去。

“这个是我们刚刚做的试验，利用球形栅极，取代现在的鱼鳍式栅极，并且，利用多点加压，可以实现1纳米制程，晶体管数量可以达到2oo亿个，运算速度可以相比于5纳米的可以提高6o以上，功耗上面却节省了3o。”

张振兴立刻拿起桌子上的报告，看完之后，一脸的震惊！

“二维单晶石墨烯材料？14o皮米？”

张振兴说道。

“没错，二维的单晶石墨烯材料，材料厚度几乎可以忽略不计，键长142皮米，因为和硅元素属于同族元素，与纯度达到2o个九的单晶硅有很好的贴合性，因为它的导电性正好可以减少电阻，弥补硅的发热问题，同时可以提高运行速度。”

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